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[发明专利]一种极紫外多层膜反射镜及制备方法-CN202211477999.X在审
发明人：朱京涛;吴曼玉;朱运平;金长利;郑华伟 -专利权人：苏州宏策光电科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明公开一种极紫外多层膜反射镜及制备方法，反射镜包括：基底和N层共溅射膜结构；第一层共溅射膜结构设置在所述基底上，第i+1层共溅射膜结构设置在第i层共溅射膜结构上；各层共溅射膜结构均包括：吸收层和间隔层，所述间隔层设置在所述吸收层上侧；所述吸收层是由Mo和Nb两种靶材共溅射制备的；所述间隔层是由Si和Y两种靶材共溅射制备的，或由Si靶材溅射制备的。
一种紫外多层反射制备方法

[发明专利]一种共溅射稀土旋转靶材、制备方法及其应用方法-CN202211099776.4在审
发明人：陈德宏;王志强;钟嘉珉;李宗安;程军;庞思明;杨秉政;王爽;张艳岭;张小强;刘德忠;韩立国 -专利权人：有研稀土新材料股份有限公司;有研稀土高技术有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种共溅射稀土旋转靶材、制备方法及其应用方法，所述共溅射稀土旋转靶材包括设置于靶材轴向端部的2节端部靶管和设置于2节端部靶管之间靶材沿轴向中间区域的若干节稀土靶管和若干节共溅射靶管，所述若干节稀土靶管和若干节共溅射靶管间隔设置，各节靶管之间通过焊接相互拼接；所述共溅射靶管选自铝、铜、镍、铁和镨靶管中的至少一种，所述端部靶管为非稀土靶管或稀土靶管。本发明实施例提供的技术方案，将稀土靶管与铝、铜等共溅射元素靶管组合在同一支旋转靶材，实现稀土和共溅射元素同时附着在钕铁硼表面，在提高稀土靶材利用率和溅射效率的同时，可以达到缩短晶界扩散时间和降低扩散温度的有益技术效果
一种溅射稀土旋转制备方法及其应用

[发明专利]高SERS强度的Ag/SiO2-CN202111218145.5在审
发明人：赵晓宇;梁龙杰;温嘉红;张永军;钟家松;张鉴;孔哲;王雅新 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明公开了高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法，包括以下步骤：(1)硅片亲水处理；(2)制备Ag/SiO2共溅射单层膜；(3)利用氢氟酸对Ag/SiO2共溅射单层膜进行腐蚀，得高SERS强度Ag/SiO2共溅射单层膜。本发明设计并制备得到了一种可实现比单层金属膜SERS增强效果更高的金属‑绝缘体共溅射膜(Ag/SiO2)，采用较为简单的磁控溅射，从而利用氢氟酸对二氧化硅的腐蚀性，使Ag/SiO2共溅射薄膜中的二氧化硅被不同程度腐蚀，从而留下不同颗粒大小和间隔的银纳米颗粒，提高其单层膜的SERS强度。
sers 强度 ag sio base sub

[发明专利]一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法-CN201510115066.X在审
发明人：贾小氢;杨小忠;王翔;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）靶材选取，选取纯度均为99.999%均匀掺杂的块状Nb和Si作为磁控共溅射的靶材，将靶材放入磁控共溅射室；（2）衬底处理，对衬底依次用超声波、丙酮、酒精和氩离子清洗，放入磁控共溅射室；（3）制备铌硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10^-5 Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备薄膜。
一种利用磁控共溅射法制备铌硅薄膜方法

[发明专利]一种通过磁控溅射直流共溅射制备Ni-Co-Mn-Ti合金薄膜的方法-CN201610871554.8有效
发明人：马胜灿;刘凯;张林;钟震晨;钟明龙;江庆政 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过磁控溅射直流共溅射制备Ni‑Co‑Mn‑Ti合金薄膜的方法，其步骤为：(一)选取靶材：按化学计量比选取NiMnTi合金靶和Co单质靶；(二)共溅射：1.基底加热：将选好的合金靶和单质靶放在溅射室的溅射靶之上固定好，关闭腔盖抽真空到10^‑4Pa以下后加热基底，打开基底加热电源，调整加热旋钮到合适位置开始加热；2.溅射室压强调整：充入纯度为99.999％的氩气，通过调整流量仪和闸板阀控制溅射室内压强到合适大小；3.直流共溅射：调整溅射靶的功率旋钮到合适范围开始共溅射，溅射一定时间后停止溅射。
一种通过磁控溅射直流溅射制备 ni co mn ti 合金薄膜方法

[发明专利]一种磁控共溅射制备Au-Sn合金焊料的方法-CN202310278112.2在审
发明人：汤珅 -专利权人：东莞市湃泊科技有限公司;深圳市湃泊科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控共溅射制备Au‑Sn合金焊料的方法，包括：对热沉基底进行加热除气及基底活化；对热沉基底进行等离子清洗；在热沉基底上溅射沉积Ti层；在Ti层上溅射沉积Pt层；确定Au的溅射功率、Sn的溅射功率以及共溅射时间，利用Au靶材和Sn靶材在Pt层上进行磁控共溅射沉积形成Au‑Sn层；在Au‑Sn层上磁控溅射Au保护层，得到Au‑Sn合金焊料。本发明在磁控共溅射沉积Au‑Sn层之前，准确确定Au靶、Sn靶的溅射功率以及共沉积时间，实现Au和Sn在1纳米尺度内的均匀混合且Au/Sn质量比精准可调，降低了焊料与芯片焊接处的空洞率，提高了焊接质量。
一种磁控共溅射制备 au sn 合金焊料方法

[实用新型]共溅射Mo₂C/B₄C人工晶体单色器-CN201620151163.4有效
发明人：朱京涛;朱圣明;金长利;朱运平 -专利权人：苏州宏策光电科技有限公司
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： G01J3/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种共溅射制备化合物Mo₂C和化合物B₄C作为材料组合的人工晶体X光单色器，该单色器包括基底，其上面依次层叠有打底层、共溅射Mo₂C/B₄C周期多层膜人工晶体及保护层，其中共溅射Mo₂C/B₄C周期多层膜人工晶体(5)由共溅射Mo₂C膜本实用新型采用高熔点、相态稳定的共溅射化合物Mo₂C作为多层膜人工晶体的吸收层，制作出共溅射Mo₂C/B₄C周期多层膜人工晶体用作单色器同时，在X光波段的共溅射Mo₂C的光学常数和Mo接近，共溅射Mo₂C/B₄C周期多层膜人工晶体单色器保持了单质与B₄
溅射 mo sub 人工晶体单色

[发明专利]一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法-CN201410649289.X有效
发明人：杨培志;段良飞;杨雯 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法，采用磁控溅射镀膜系统，以玻璃片为衬底，在衬底上利用共溅射法溅射制备Al/a‑Si复合膜，将Al均匀填埋在a‑Si薄膜中，通过调节Al/Si共溅射的功率比可控制薄膜中的采用Si溅射功率为100~350W、Al溅射功率20~30W共溅射制备出Al/a‑Si复合膜，再将其放入RTP快速光热退火炉中于N2气氛下150℃~300℃退火10~15min，可得到晶化率为45%~90%
一种溅射低温快速制备多晶薄膜方法

[发明专利]一种利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法-CN201510628815.9在审
发明人：贾小氢;付凤凤;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了利用磁控共溅射法制备超薄钨硅薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：靶材选取，选取高纯硅和钨作为靶材，将靶材放入磁控共溅射室；衬底处理，对衬底依次用超声波和氩离子清洗，将处理后的衬底送入磁控共溅射室，置于样品台上；制备钨硅薄膜，磁控共溅射室的真空度小于等于2×10^-5Pa，工作气体是氩气，调节溅射气压、溅射功率、沉积速率和靶材到衬底的距离，经过一定时间溅射制备钨硅薄膜。
一种利用磁控共溅射法制超薄薄膜方法

[发明专利]一种高透、高阻、高硬度共掺杂DLC薄膜的制备方法-CN202110109552.6在审
发明人：沈洪雪;姚婷婷;李刚;彭塞奥 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种高透、高阻、高硬度共掺杂DLC薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面污垢：S2、采用磁控三靶共溅射系统，将W靶与C靶分别放置于磁控三靶共溅射系统的两个靶位，W靶与C靶均采用直流电源，然后对磁控三靶共溅射系统抽真空、通入氩气、起辉，活化和清理靶材；S3、将衬底置于磁控三靶共溅射系统内，直流电源对磁控三靶共溅射系统抽真空，在真空度抽至6.0*10‑5Pa时，通入溅射气体氩气，起辉，进行预溅射；S4、在衬底表面溅射镀膜，得到所述共掺杂DLC薄膜；该方法既可以提高DLC薄膜的硬度，又可以达到高透过率，还能够改变薄膜的电阻，以达到高电阻的特性，满足器件更高的使用要求
一种硬度掺杂 dlc 薄膜制备方法

[发明专利]梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法-CN201910022023.5在审
发明人：汪福宪;郭鹏然;梁维新 -专利权人：广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法，采用磁控共溅射法，靶A和靶B分别采用独立的直流溅射电源，并利用溅射功率渐变控制器控制共溅射过程中靶A和靶B的起始溅射功率和功率渐变速率，调控薄膜中金属离子的比例；通过在共溅射过程中控制靶A和靶B溅射组分的溅射功率，从薄膜底部至薄膜顶部形成金属离子A/B比例的梯度变化，在多元金属氧化缺陷容忍度范围内实现金属A/B比例的可控调节，在抑制杂相析出的前提下
薄膜多元金属氧化物溅射功率自掺杂制备磁控溅射金属离子共溅射渐变磁控共溅射法直流溅射电源控制器控制析出多元金属梯度变化氧化缺陷容忍度溅射可控金属调控

[发明专利]一种采用后退火处理的共溅射制备MWCNT@XY的方法及MWCNT@XY-CN201910190140.2有效
发明人：埃泽尔·马丁·阿金诺古;薛亚飞;迈克尔·吉尔森 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用后退火处理的共溅射制备MWCNT@XY的方法及MWCNT@XY。所述方法包括如下步骤：S1：在玻碳载体上生长独立、垂直排列的MWCNT阵列；S2：在MWCNT阵列上共溅射沉积得到涂层X’和Y’；S3：对S2共溅射得到的MWCNT阵列进行后退火处理即得所述MWCNT@本发明通过共溅射在MWCNT阵列上沉积X’和Y’涂层，然后利用后退火处理，使得X’和Y’两种材料迁移重结晶并混合，最终得到的MWCNT@XY涂层均匀，可广泛应用于电催化、电分析、超级电容器和电池等领域。
一种采用退火处理溅射制备 mwcnt xy 方法

[发明专利]共溅射Mo₂C/B₄C人工晶体单色器及其制作方法-CN201610111541.0在审
发明人：朱京涛;朱圣明;金长利;朱运平 -专利权人：苏州宏策光电科技有限公司
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G01J3/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种共溅射制备化合物Mo₂C和化合物B₄C作为材料组合的人工晶体X光单色器及其制作方法，在超光滑的单晶硅片或玻璃基底上镀制打底层，在交替镀制共溅射Mo本发明采用高熔点、相态稳定的共溅射化合物Mo₂C作为多层膜人工晶体的吸收层，制作出共溅射Mo₂C/B₄C周期多层膜人工晶体用作单色器，克服了单质与同时，在X光波段的共溅射Mo₂C的光学常数和Mo接近，共溅射Mo₂C/B₄C周期多层膜人工晶体单色器保持了单质与B₄
溅射 mo sub 人工晶体单色及其制作方法

[发明专利]基于共溅射中间膜原位转化制备层状双羟基氢氧化物膜的方法-CN202111120035.5在审
发明人：宋光铃;朱艺星;郑大江 -专利权人：厦门大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于共溅射中间膜原位转化制备层状双羟基金属氢氧化物(LDH)膜的方法，包括步骤：S1，在基底材料表面利用共溅射技术共沉积两种或两种以上金属，得到共溅射中间膜；S2，随后通过水热反应过程将所述共溅射中间膜原位转化
基于溅射中间原位转化制备层状羟基氢氧化物方法

[发明专利]一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法-CN201610266729.2有效
发明人：杜祖亮;程轲;薛明 -专利权人：河南大学
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于一种双靶直流共溅射制备铜铟镓硒吸收层的方法，包括以下步骤①提供基底，共溅射CuGa合金靶和In靶，制备铜铟镓预制层，共溅射的工艺条件为本底真空为4~5×10‑4Pa，工作压强0.5~0.6 Pa，In靶的溅射功率为80 W，CuGa合金靶的溅射功率为25 W，溅射时间35~40 min；②将铜铟镓预制层放入快速退火炉中，20~25s内升温至545~550℃，545~550℃下硒化30~35 min
一种直流溅射制备铜铟镓硒吸收方法

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